casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / EMX26T2R
codice articolo del costruttore | EMX26T2R |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-EMX26T2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMX26T2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 300nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 820 @ 50mA, 5V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | EMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMX26T2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMX26T2R-FT |
HN4B01JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4207-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4207-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4B04J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1618-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4A51JTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4C51J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4207-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1618-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4A06J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2S30-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
XA7A35T-1CSG325Q
Xilinx Inc.
A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP20K600EFC672-2X
Intel
5SGXEA7K1F40I2N
Intel
5SGXEB6R2F40I3N
Intel
5SGXEB6R3F43C4
Intel
5SGXEA7H2F35C3N
Intel