casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO86-12NO7
codice articolo del costruttore | VUO86-12NO7 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO86-12NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO86-12NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 86A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.14V @ 30A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ECO-PAC1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ECO-PAC1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO86-12NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO86-12NO7-FT |
VBO20-08NO2
IXYS
VBO20-12NO2
IXYS
VBO20-16NO2
IXYS
VBO21-08NO7
IXYS
VBO21-12NO7
IXYS
VBO22-08NO8
IXYS
VBO22-12NO8
IXYS
VBO22-16NO8
IXYS
VBO22-18NO8
IXYS
VBO25-08NO2
IXYS
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2C35U484C7
Intel
EP4CE15F23C9L
Intel
EP3C16E144I7
Intel
A1010B-PLG44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1020C5N
Intel