casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VBO20-12NO2
codice articolo del costruttore | VBO20-12NO2 |
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Numero di parte futuro | FT-VBO20-12NO2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VBO20-12NO2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 31A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 55A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 4-Square, FO-A |
Pacchetto dispositivo fornitore | FO-A |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO20-12NO2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBO20-12NO2-FT |
CD-MBL108S
Bourns Inc.
CD-MBL108SL
Bourns Inc.
CD-MBL110S
Bourns Inc.
CD-MBL110SL
Bourns Inc.
CD-MBL208S
Bourns Inc.
CD-MBL208SL
Bourns Inc.
CD-MBL210SL
Bourns Inc.
CDNBS04-B08200
Bourns Inc.
XCS10-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FG456C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP3C25E144C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
A42MX09-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6MG328C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA2U19C8N
Intel
EP2SGX90FF1508I4
Intel