casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VBO20-08NO2
codice articolo del costruttore | VBO20-08NO2 |
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Numero di parte futuro | FT-VBO20-08NO2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VBO20-08NO2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 31A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 55A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 4-Square, FO-A |
Pacchetto dispositivo fornitore | FO-A |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO20-08NO2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBO20-08NO2-FT |
CD-MBL106SL
Bourns Inc.
CD-MBL108S
Bourns Inc.
CD-MBL108SL
Bourns Inc.
CD-MBL110S
Bourns Inc.
CD-MBL110SL
Bourns Inc.
CD-MBL208S
Bourns Inc.
CD-MBL208SL
Bourns Inc.
CD-MBL210SL
Bourns Inc.
CDNBS04-B08200
Bourns Inc.
LCMXO2-2000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K10FC256-2N
Intel
5SGSMD5H3F35C2L
Intel
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQ100
Microsemi Corporation
EP1S40F1508C7N
Intel