casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VBO25-08NO2

| codice articolo del costruttore | VBO25-08NO2 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-VBO25-08NO2 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| VBO25-08NO2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Diodo | Single Phase |
| Tecnologia | Standard |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
| Corrente: media rettificata (Io) | 38A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.36V @ 55A |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 800V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | QC Terminal |
| Pacchetto / caso | 4-Square, FO-A |
| Pacchetto dispositivo fornitore | FO-A |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| VBO25-08NO2 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | VBO25-08NO2-FT |

B4S-HF
Comchip Technology

MB6STR
SMC Diode Solutions

GBL410_HF
Diodes Incorporated

MB10STR
SMC Diode Solutions

MB6FTR
SMC Diode Solutions

CDBHM140L-G
Comchip Technology

MSB30KH-13
Diodes Incorporated

GBJA1010-BP
Micro Commercial Co

GBJA1510-BP
Micro Commercial Co

KBJ1010G-BP
Micro Commercial Co

A40MX02-VQ80I
Microsemi Corporation

XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.

XC6SLX100-L1FG484I
Xilinx Inc.

A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation

M1A3PE1500-1FGG484I
Microsemi Corporation

AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation

5SGTMC5K2F40C2N
Intel

M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation

LFXP20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation

EPF10K100EBC356-2
Intel