casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO60-18NO3
codice articolo del costruttore | VUO60-18NO3 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO60-18NO3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO60-18NO3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.8kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 72A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 150A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 1800V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | FO-F-B |
Pacchetto dispositivo fornitore | FO-F-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO60-18NO3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO60-18NO3-FT |
VBO130-12NO7
IXYS
VBO130-16NO7
IXYS
VBO130-18NO7
IXYS
VBO160-08NO7
IXYS
VBO160-12NO7
IXYS
VBO160-16NO7
IXYS
VBO160-18NO7
IXYS
VBO20-08NO2
IXYS
VBO20-12NO2
IXYS
VBO20-16NO2
IXYS
LCMXO3LF-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4N
Intel
5SGXMA5N1F40C1N
Intel
5SGXMBBR3H43I3N
Intel
5SGXEA7H2F35C2LN
Intel
XC7V585T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
5SGXMA3H3F35C4N
Intel
EP2A40F1020I8
Intel