casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VBO160-12NO7
codice articolo del costruttore | VBO160-12NO7 |
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Numero di parte futuro | FT-VBO160-12NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VBO160-12NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 174A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.07V @ 160A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | PWS-E |
Pacchetto dispositivo fornitore | PWS-E |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO160-12NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBO160-12NO7-FT |
CD-HD201L
Bourns Inc.
CD-MBL102S
Bourns Inc.
CD-MBL104S
Bourns Inc.
CD-MBL106SL
Bourns Inc.
CD-MBL108S
Bourns Inc.
CD-MBL108SL
Bourns Inc.
CD-MBL110S
Bourns Inc.
CD-MBL110SL
Bourns Inc.
CD-MBL208S
Bourns Inc.
CD-MBL208SL
Bourns Inc.
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45C2N
Intel
5SGXEBBR3H43I3LN
Intel
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F31C5N
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP20K100EBC356-3
Intel
EP4SGX530HH35C2
Intel