casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VBO160-12NO7
codice articolo del costruttore | VBO160-12NO7 |
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Numero di parte futuro | FT-VBO160-12NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VBO160-12NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 174A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.07V @ 160A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | PWS-E |
Pacchetto dispositivo fornitore | PWS-E |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO160-12NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBO160-12NO7-FT |
CD-HD201L
Bourns Inc.
CD-MBL102S
Bourns Inc.
CD-MBL104S
Bourns Inc.
CD-MBL106SL
Bourns Inc.
CD-MBL108S
Bourns Inc.
CD-MBL108SL
Bourns Inc.
CD-MBL110S
Bourns Inc.
CD-MBL110SL
Bourns Inc.
CD-MBL208S
Bourns Inc.
CD-MBL208SL
Bourns Inc.
A40MX02-1VQG80M
Microsemi Corporation
APA150-PQG208
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484C8
Intel
EP2AGZ225HF40I3N
Intel
5SGXEA9K2H40I3LN
Intel
5SGXEA3K2F35I3L
Intel
EP3SE80F1152I4L
Intel
AT6005-4JI
Microchip Technology
EP20K200EQC208-1
Intel