casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VUO60-14NO3
codice articolo del costruttore | VUO60-14NO3 |
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Numero di parte futuro | FT-VUO60-14NO3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO60-14NO3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.4kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 72A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 150A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 1400V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | FO-F-B |
Pacchetto dispositivo fornitore | FO-F-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO60-14NO3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VUO60-14NO3-FT |
VBO125-16NO7
IXYS
VBO130-08NO7
IXYS
VBO130-12NO7
IXYS
VBO130-16NO7
IXYS
VBO130-18NO7
IXYS
VBO160-08NO7
IXYS
VBO160-12NO7
IXYS
VBO160-16NO7
IXYS
VBO160-18NO7
IXYS
VBO20-08NO2
IXYS
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
EX256-TQ100I
Microsemi Corporation
XCS20-3VQG100C
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156I
Xilinx Inc.
EP4CE22F17C6
Intel
EP3SE260F1152C4LN
Intel
XC2VP30-5FF1152I
Xilinx Inc.
XCKU035-1SFVA784C
Xilinx Inc.
A54SX08-2FGG144
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1X
Intel