casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VBO130-08NO7
codice articolo del costruttore | VBO130-08NO7 |
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Numero di parte futuro | FT-VBO130-08NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VBO130-08NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 122A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 120A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | PWS-E |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO130-08NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBO130-08NO7-FT |
CD-HD006
Bourns Inc.
CD-HD01
Bourns Inc.
CD-HD2004
Bourns Inc.
CD-HD2006
Bourns Inc.
CD-HD2006L
Bourns Inc.
CD-HD201L
Bourns Inc.
CD-MBL102S
Bourns Inc.
CD-MBL104S
Bourns Inc.
CD-MBL106SL
Bourns Inc.
CD-MBL108S
Bourns Inc.
LFXP2-5E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
EP20K400FC672-3
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
5SGXEA5K2F35I2L
Intel
XC7K410T-1FFG900I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation
EPF10K10LC84-3
Intel
EP20K160EBC356-1N
Intel