casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VSSB420S-M3/52T
codice articolo del costruttore | VSSB420S-M3/52T |
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Numero di parte futuro | FT-VSSB420S-M3/52T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VSSB420S-M3/52T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.8A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 120pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSB420S-M3/52T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VSSB420S-M3/52T-FT |
U1D-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1D-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1B-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1B-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1B-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1B-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1BHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1BHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel