casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UH1BHE3_A/I
codice articolo del costruttore | UH1BHE3_A/I |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-UH1BHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
UH1BHE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 17pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UH1BHE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UH1BHE3_A/I-FT |
S1GHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1J-E3/51T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1JA-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1JA-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1JHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1JHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1JHM3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1KA-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1KA-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1KHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation