casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UH1BHE3_A/H
codice articolo del costruttore | UH1BHE3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-UH1BHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
UH1BHE3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 17pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UH1BHE3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UH1BHE3_A/H-FT |
S1GHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1GHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1J-E3/51T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1JA-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1JA-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1JHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1JHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1JHM3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1KA-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1KA-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FTG256I
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C4N
Intel
XC7A200T-L1FB484I
Xilinx Inc.
XCKU3P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K100EQC208-2XN
Intel