casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / U1D-M3/5AT
codice articolo del costruttore | U1D-M3/5AT |
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Numero di parte futuro | FT-U1D-M3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
U1D-M3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 24ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 6.8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
U1D-M3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | U1D-M3/5AT-FT |
S1DA-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1DA-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1DHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1G-E3/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1G/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1GA-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1GA-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1GHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1GHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S200AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196Q
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100I
Microsemi Corporation
XC4010XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XC2V3000-6FFG1152C
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C7N
Intel
10AX115U4F45I3SG
Intel