casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VSSAF5M10-M3/H
codice articolo del costruttore | VSSAF5M10-M3/H |
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Numero di parte futuro | FT-VSSAF5M10-M3/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS®, SlimSMA™ |
VSSAF5M10-M3/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 790mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 470pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-221AC (SlimSMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSAF5M10-M3/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VSSAF5M10-M3/H-FT |
BYM13-20-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-20HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-20HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-30-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-30HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-30HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-40HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-40HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-50-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM13-50HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel