casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYM13-50HE3/96
codice articolo del costruttore | BYM13-50HE3/96 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BYM13-50HE3/96 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYM13-50HE3/96 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF |
Pacchetto dispositivo fornitore | GL41 (DO-213AB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM13-50HE3/96 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYM13-50HE3/96-FT |
BAS20-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-00-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-00-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-00-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-00-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FTG256I
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C4N
Intel
XC7A200T-L1FB484I
Xilinx Inc.
XCKU3P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K100EQC208-2XN
Intel