casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYM13-30HE3/97
codice articolo del costruttore | BYM13-30HE3/97 |
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Numero di parte futuro | FT-BYM13-30HE3/97 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYM13-30HE3/97 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF |
Pacchetto dispositivo fornitore | GL41 (DO-213AB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM13-30HE3/97 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYM13-30HE3/97-FT |
BAS19-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation