casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYM13-20HE3/96
codice articolo del costruttore | BYM13-20HE3/96 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BYM13-20HE3/96 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYM13-20HE3/96 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF |
Pacchetto dispositivo fornitore | GL41 (DO-213AB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM13-20HE3/96 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYM13-20HE3/96-FT |
BAS19-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel