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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT100TP60N

Name: VS-GT100TP60N
Brand: Vishay Semiconductor Diodes Division
SKU: VS-GT100TP60N
Price: 174.598336 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (613 reviews)

Numero parte MFG: VS-GT100TP60N

quantità disponibile: 74530 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 174.598336

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione: - IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Moduli

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: VS-GT100TP60N.pdf

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VS-GT100TP60N specificazioni

codice articolo del costruttore	VS-GT100TP60N
Numero di parte futuro	FT-VS-GT100TP60N
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
VS-GT100TP60N Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo IGBT	Trench
Configurazione	Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	160A
Potenza - Max	417W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max)	5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	7.71nF @ 30V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	INT-A-PAK (3 + 4)
Pacchetto dispositivo fornitore	INT-A-PAK
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-GT100TP60N Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	VS-GT100TP60N-FT

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