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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT100TP60N

Numero parte MFG
VS-GT100TP60N
quantità disponibile
74530 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 174.598336
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Data di spedizione
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fabbricante
Vishay Semiconductor Diodes Division
Breve descrizione
- IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - IGBT - Moduli
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore VS-GT100TP60N
Numero di parte futuro FT-VS-GT100TP60N
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
VS-GT100TP60N Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench
Configurazione Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 160A
Potenza - Max 417W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max) 5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 7.71nF @ 30V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso INT-A-PAK (3 + 4)
Pacchetto dispositivo fornitore INT-A-PAK
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-GT100TP60N Peso Contattaci
Numero parte di ricambio VS-GT100TP60N-FT

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