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codice articolo del costruttore | VS-GT100TP60N |
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Numero di parte futuro | FT-VS-GT100TP60N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-GT100TP60N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 160A |
Potenza - Max | 417W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 7.71nF @ 30V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacchetto dispositivo fornitore | INT-A-PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GT100TP60N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-GT100TP60N-FT |
FF900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4PBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4VBOSA1
Infineon Technologies
DDB6U180N16RRB11BPSA1
Infineon Technologies
DF450R12N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
DF450R17N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
DF600R12N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
F4200R17N3E4BPSA1
Infineon Technologies
F575R06KE3B5BOSA1
Infineon Technologies
FP100R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
M1AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
ICE65L04F-LVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110CF23C8N
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
XC3020A-7PC84C
Xilinx Inc.
XCKU040-3SFVA784E
Xilinx Inc.
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3
Intel