casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / F575R06KE3B5BOSA1
codice articolo del costruttore | F575R06KE3B5BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-F575R06KE3B5BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
F575R06KE3B5BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 75A |
Potenza - Max | 250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 75A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 4.6nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F575R06KE3B5BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | F575R06KE3B5BOSA1-FT |
FF150R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
FP150R12KT4B11BPSA1
Infineon Technologies
FP150R12KT4BPSA1
Infineon Technologies
FP150R12KT4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FP150R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FP35R12W2T4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FP25R12W2T4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FP25R12W2T4PBPSA1
Infineon Technologies
FP35R12W2T4PBPSA1
Infineon Technologies
DDB6U84N16RRBOSA1
Infineon Technologies
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel