casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / DDB6U180N16RRB11BPSA1
codice articolo del costruttore | DDB6U180N16RRB11BPSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-DDB6U180N16RRB11BPSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDB6U180N16RRB11BPSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | 3 Independent |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 140A |
Potenza - Max | 515W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 6.3nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDB6U180N16RRB11BPSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDB6U180N16RRB11BPSA1-FT |
FF400R17KE4EHOSA1
Infineon Technologies
FF400R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF300R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF400R06KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF450R12KE4HOSA1
Infineon Technologies
FF150R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
FP150R12KT4B11BPSA1
Infineon Technologies
FP150R12KT4BPSA1
Infineon Technologies
FP150R12KT4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FP150R12KT4PBPSA1
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