casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / DDB6U180N16RRB11BPSA1
codice articolo del costruttore | DDB6U180N16RRB11BPSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DDB6U180N16RRB11BPSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDB6U180N16RRB11BPSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | 3 Independent |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 140A |
Potenza - Max | 515W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 6.3nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDB6U180N16RRB11BPSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDB6U180N16RRB11BPSA1-FT |
FF400R17KE4EHOSA1
Infineon Technologies
FF400R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF300R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF400R06KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF450R12KE4HOSA1
Infineon Technologies
FF150R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
FP150R12KT4B11BPSA1
Infineon Technologies
FP150R12KT4BPSA1
Infineon Technologies
FP150R12KT4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FP150R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
XA2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA7N1F40C2
Intel
10CX220YF672E5G
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
XC2V1500-4FFG896I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3SGE2
Intel