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codice articolo del costruttore | FF900R12IP4DVBOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FF900R12IP4DVBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PrimePack™2 |
FF900R12IP4DVBOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | 2 Independent |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 900A |
Potenza - Max | 5100W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 900A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF900R12IP4DVBOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF900R12IP4DVBOSA1-FT |
FF200R06KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF200R12KE4HOSA1
Infineon Technologies
FF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
FF400R17KE4EHOSA1
Infineon Technologies
FF400R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF300R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF400R06KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF450R12KE4HOSA1
Infineon Technologies
FF150R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
FP150R12KT4B11BPSA1
Infineon Technologies
LCMXO1200C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K600EF672C1NGZ
Intel
EPF10K250EBC600-3
Intel
5SGXMA4K1F40I2N
Intel
5SEE9H40C3N
Intel
5SGXEA4H2F35I3L
Intel
A42MX09-TQ176A
Microsemi Corporation
10AX057K2F40I2LG
Intel
EP2AGX260FF35I3
Intel