casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / VS-GB50TP120N
codice articolo del costruttore | VS-GB50TP120N |
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Numero di parte futuro | FT-VS-GB50TP120N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-GB50TP120N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100A |
Potenza - Max | 446W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 4.29nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacchetto dispositivo fornitore | INT-A-PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB50TP120N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-GB50TP120N-FT |
FF900R12IE4VBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4VPBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4DBOSA2
Infineon Technologies
FF900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4PBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4VBOSA1
Infineon Technologies
DDB6U180N16RRB11BPSA1
Infineon Technologies
DF450R12N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
DF450R17N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
DF600R12N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
A1010B-1VQG80I
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-2FG484I
Microsemi Corporation
M1AFS600-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC484-3
Intel
5SGXEA4K3F40C4N
Intel
M2GL060-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
EP4SGX70HF35C4N
Intel