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codice articolo del costruttore | FF900R12IP4DBOSA2 |
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Numero di parte futuro | FT-FF900R12IP4DBOSA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PrimePack™2 |
FF900R12IP4DBOSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | 2 Independent |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 900A |
Potenza - Max | 5100W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 900A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF900R12IP4DBOSA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF900R12IP4DBOSA2-FT |
FF300R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
FF200R06KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF200R12KE4HOSA1
Infineon Technologies
FF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
FF400R17KE4EHOSA1
Infineon Technologies
FF400R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF300R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF400R06KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF450R12KE4HOSA1
Infineon Technologies
FF150R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-256HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
5SGXMA3E2H29C3N
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
XA7A35T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
5CEFA7U19C6N
Intel
5CEFA7F31C7N
Intel
10AX066K2F40I2LG
Intel