casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / VS-GB100TP120N
codice articolo del costruttore | VS-GB100TP120N |
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Numero di parte futuro | FT-VS-GB100TP120N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-GB100TP120N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200A |
Potenza - Max | 650W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 7.43nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | INT-A-Pak |
Pacchetto dispositivo fornitore | INT-A-PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB100TP120N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-GB100TP120N-FT |
FF650R17IE4VBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4PBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4VBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4VPBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4DBOSA2
Infineon Technologies
FF900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4PBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4VBOSA1
Infineon Technologies
DDB6U180N16RRB11BPSA1
Infineon Technologies
DF450R12N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
XC6SLX100-N3CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FG256I
Microsemi Corporation
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2DQI
Microchip Technology
5SGXMABN3F45C3N
Intel
LFE2M35SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-640E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4N
Intel