casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-ETU1506S-M3
codice articolo del costruttore | VS-ETU1506S-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-ETU1506S-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-ETU1506S-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 40ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 15µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-ETU1506S-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-ETU1506S-M3-FT |
VB20100S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100SG-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120SG-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120SG-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG484I
Xilinx Inc.
MPF300TLS-FCG1152I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC208-3
Intel