casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-ETU1506S-M3
codice articolo del costruttore | VS-ETU1506S-M3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-ETU1506S-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-ETU1506S-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 40ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 15µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-ETU1506S-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-ETU1506S-M3-FT |
VB20100S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100SG-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120SG-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120SG-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FTG256I
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C4N
Intel
XC7A200T-L1FB484I
Xilinx Inc.
XCKU3P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K100EQC208-2XN
Intel