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Vishay Semiconductor Diodes Division VB20120SG-E3/8W

Name: VB20120SG-E3/8W
Brand: Vishay Semiconductor Diodes Division
SKU: VB20120SG-E3/8W
Price: 0.742432 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (248 reviews)

Numero parte MFG: VB20120SG-E3/8W

quantità disponibile: 57040 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.742432

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione: TMBS® DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Diodi - Raddrizzatori - Singoli

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: VB20120SG-E3/8W.pdf

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VB20120SG-E3/8W specificazioni

codice articolo del costruttore	VB20120SG-E3/8W
Numero di parte futuro	FT-VB20120SG-E3/8W
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TMBS®
VB20120SG-E3/8W Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Diodo	Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	120V
Corrente: media rettificata (Io)	20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.33V @ 20A
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	-
Corrente - Perdita inversa @ Vr	250µA @ 120V
Capacità @ Vr, F	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263AB
Temperatura operativa - Giunzione	-40°C ~ 150°C
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VB20120SG-E3/8W Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	VB20120SG-E3/8W-FT

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