casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VB20120SG-M3/4W
codice articolo del costruttore | VB20120SG-M3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VB20120SG-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VB20120SG-M3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.33V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 120V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB20120SG-M3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VB20120SG-M3/4W-FT |
MBRB10H100-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15TQ060SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15TB60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1645-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA25TB60SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1660-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UHB10FT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel