casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VB20100S-M3/8W
codice articolo del costruttore | VB20100S-M3/8W |
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Numero di parte futuro | FT-VB20100S-M3/8W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VB20100S-M3/8W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.12V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 120V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB20100S-M3/8W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VB20100S-M3/8W-FT |
VS-HFA06TB120SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2045BP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16GT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16HT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB3045S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10100-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1090-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H100-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15TQ060SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation