casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-ETU1506-M3
codice articolo del costruttore | VS-ETU1506-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-ETU1506-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-ETU1506-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 40ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 15µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-ETU1506-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-ETU1506-M3-FT |
VS-100BGQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-85EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
MCL4448-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ333-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV302-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ335-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV301-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MCL101C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ334-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ333-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel