casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAQ333-TR3
codice articolo del costruttore | BAQ333-TR3 |
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Numero di parte futuro | FT-BAQ333-TR3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAQ333-TR3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1nA @ 15V |
Capacità @ Vr, F | 3pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | MicroMELF |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAQ333-TR3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAQ333-TR3-FT |
MPG06KHE3_A/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06M-E3/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06M-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06M-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06MHE3_A/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06MHE3_A/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06MHE3_A/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06MHE3_A/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06AHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06BHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel