casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV301-TR
codice articolo del costruttore | BAV301-TR |
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Numero di parte futuro | FT-BAV301-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV301-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | MicroMELF |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV301-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV301-TR-FT |
MPG06K-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06KHE3_A/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06KHE3_A/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06KHE3_A/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06M-E3/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06M-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06M-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06MHE3_A/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06MHE3_A/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06MHE3_A/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel