casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-85EPF12
codice articolo del costruttore | VS-85EPF12 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-85EPF12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-85EPF12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 85A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 85A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 190ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | PowerTab™, PowIRtab™ |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowIRtab™ |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-85EPF12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-85EPF12-FT |
MPG06JHE3_A/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06JHE3_A/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06JHE3_A/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06K-E3/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06K-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06K-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06KHE3_A/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06KHE3_A/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06KHE3_A/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06M-E3/100
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel