casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-6ESH06-M3/87A
codice articolo del costruttore | VS-6ESH06-M3/87A |
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Numero di parte futuro | FT-VS-6ESH06-M3/87A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-6ESH06-M3/87A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 6A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 40ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-6ESH06-M3/87A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-6ESH06-M3/87A-FT |
V12P45-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P45-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P45HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P6-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P6HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P8-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P8-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P8HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel