casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V12P6HM3_A/I
codice articolo del costruttore | V12P6HM3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-V12P6HM3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V12P6HM3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 610mV @ 12A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.9mA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V12P6HM3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V12P6HM3_A/I-FT |
SS10PH10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10PH45-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10PH45-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10PH45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10PH9-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10PH9HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10PH9HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P2L-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P2L-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P2LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A50T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX16P-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84A
Microsemi Corporation
10AX115U2F45E2SG
Intel
10M04SCM153I7G
Intel
EP2AGX190FF35I5G
Intel
EP3SL50F780C3
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel