casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V12P8-M3/86A
codice articolo del costruttore | V12P8-M3/86A |
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Numero di parte futuro | FT-V12P8-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V12P8-M3/86A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4.3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 660mV @ 12A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V12P8-M3/86A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V12P8-M3/86A-FT |
SS10PH45-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10PH45-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10PH45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10PH9-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10PH9HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10PH9HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P2L-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P2L-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P2LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P2LHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
5SGXEB5R2F43C2L
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation