casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V12P6HM3_A/H
codice articolo del costruttore | V12P6HM3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-V12P6HM3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V12P6HM3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 610mV @ 12A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.9mA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V12P6HM3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V12P6HM3_A/H-FT |
SS10P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10PH10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10PH45-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10PH45-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10PH45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10PH9-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10PH9HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10PH9HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P2L-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P2L-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel