casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-40HF140M
codice articolo del costruttore | VS-40HF140M |
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Numero di parte futuro | FT-VS-40HF140M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-40HF140M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 40A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 125A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AB (DO-5) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 160°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-40HF140M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-40HF140M-FT |
JANTXV1N5617US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5618US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5619US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5621
Microsemi Corporation
JANTXV1N5622US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5623US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5804
Microsemi Corporation
JANTXV1N5807
Microsemi Corporation
JANTXV1N5809
Microsemi Corporation
JANTXV1N5809US
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel