casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N5807
codice articolo del costruttore | JANTXV1N5807 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N5807 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JANTXV1N5807 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 65pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | B, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N5807 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N5807-FT |
NRVHPRS1KFA
ON Semiconductor
STBR3012G2-TR
STMicroelectronics
STPSC12065G-TR
STMicroelectronics
STPSC12065G2Y-TR
STMicroelectronics
STPSC8H065G2Y-TR
STMicroelectronics
STTH15RQ06G2-TR
STMicroelectronics
STTH15RQ06G2Y-TR
STMicroelectronics
STTH30RQ06G2-TR
STMicroelectronics
STTH30RQ06G2Y-TR
STMicroelectronics
VS-60HFUR-300
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FTG256I
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C4N
Intel
XC7A200T-L1FB484I
Xilinx Inc.
XCKU3P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K100EQC208-2XN
Intel