casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N5617US
codice articolo del costruttore | JANTXV1N5617US |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N5617US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/429 |
JANTXV1N5617US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, A |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5A |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N5617US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N5617US-FT |
FERD30M45D
STMicroelectronics
FFSM0665A
ON Semiconductor
FFSM1265A
ON Semiconductor
NRVHPRS1AFA
ON Semiconductor
NRVHPRS1BFA
ON Semiconductor
NRVHPRS1DFA
ON Semiconductor
NRVHPRS1GFA
ON Semiconductor
NRVHPRS1KFA
ON Semiconductor
STBR3012G2-TR
STMicroelectronics
STPSC12065G-TR
STMicroelectronics
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel