casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N5622US
codice articolo del costruttore | JANTXV1N5622US |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N5622US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/427 |
JANTXV1N5622US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, A |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5A |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 200°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N5622US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N5622US-FT |
NRVHPRS1BFA
ON Semiconductor
NRVHPRS1DFA
ON Semiconductor
NRVHPRS1GFA
ON Semiconductor
NRVHPRS1KFA
ON Semiconductor
STBR3012G2-TR
STMicroelectronics
STPSC12065G-TR
STMicroelectronics
STPSC12065G2Y-TR
STMicroelectronics
STPSC8H065G2Y-TR
STMicroelectronics
STTH15RQ06G2-TR
STMicroelectronics
STTH15RQ06G2Y-TR
STMicroelectronics
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel