casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-30ETU12-M3
codice articolo del costruttore | VS-30ETU12-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-30ETU12-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-30ETU12-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.68V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 220ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 145µA @ 1.2kV |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30ETU12-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-30ETU12-M3-FT |
BAS382-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS382-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS383-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS383-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS386-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS386-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV300-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV300-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV301-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV302-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel