casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS386-TR3
codice articolo del costruttore | BAS386-TR3 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS386-TR3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS386-TR3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | MicroMELF |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS386-TR3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS386-TR3-FT |
MPG06BHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06DHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06DHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06GHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06GHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06JHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06JHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06KHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06KHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06MHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel