casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV302-TR3
codice articolo del costruttore | BAV302-TR3 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV302-TR3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV302-TR3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | MicroMELF |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV302-TR3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV302-TR3-FT |
MPG06GHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06JHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06JHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06KHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06KHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06MHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06MHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB040-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG06A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG06B-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel