casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS382-TR3
codice articolo del costruttore | BAS382-TR3 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS382-TR3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS382-TR3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 15mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200nA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 1.6pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | MicroMELF |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS382-TR3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS382-TR3-FT |
MPG06MHE3_A/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06MHE3_A/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06AHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06BHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06BHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06DHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06DHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06GHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06GHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
MPG06JHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation