casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-30CTQ100PBF
codice articolo del costruttore | VS-30CTQ100PBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-30CTQ100PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-30CTQ100PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 860mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 550µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30CTQ100PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-30CTQ100PBF-FT |
UG8JCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGE10CCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGE10DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGE18CCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGE18DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10BCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10BCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF10FCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel