casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / UGF10DCT-E3/45
codice articolo del costruttore | UGF10DCT-E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-UGF10DCT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UGF10DCT-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGF10DCT-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UGF10DCT-E3/45-FT |
MBR2545CT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2545CT801HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2545CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2560CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR25H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR25H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR25H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR25H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR25H50CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR25H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel