casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / UGE10DCT-E3/45
codice articolo del costruttore | UGE10DCT-E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-UGE10DCT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UGE10DCT-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGE10DCT-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UGE10DCT-E3/45-FT |
MBR20H90CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2535CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2535CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2545CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2545CT-7HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2545CT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2545CT801HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2545CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2560CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR25H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-FVQG80
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19E2LG
Intel
EP3SL340F1760C4N
Intel
XC2VP20-5FF1152C
Xilinx Inc.
XC2V2000-4FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel