casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / UGE18DCT-E3/45
codice articolo del costruttore | UGE18DCT-E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-UGE18DCT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UGE18DCT-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 18A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGE18DCT-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UGE18DCT-E3/45-FT |
MBR2535CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2545CT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2545CT-7HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2545CT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2545CT801HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2545CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2560CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR25H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR25H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR25H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel