casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-18TQ045STRR-M3
codice articolo del costruttore | VS-18TQ045STRR-M3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-18TQ045STRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-18TQ045STRR-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 18A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 18A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5mA @ 35V |
Capacità @ Vr, F | 1400pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-18TQ045STRR-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-18TQ045STRR-M3-FT |
VS-10ETS10S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS10STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF02S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF02STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF02STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel