casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-10ETS10S-M3
codice articolo del costruttore | VS-10ETS10S-M3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-10ETS10S-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-10ETS10S-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETS10S-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-10ETS10S-M3-FT |
VBT2080S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045BP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045BP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3080S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT4045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation